氧化與擴散

在氧化矽的期間,硼或磷的擴散比未氧化時更快的現象稱為什麼?

  1. A電致遷移
  2. B通道效應
  3. C氧化增強擴散(OED)
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正確答案:C. 氧化增強擴散(OED)

氧化進行時,介面上多出來的間隙矽會被注入矽中。硼和磷與間隙矽成對而容易擴散,因此在氧化期間擴散會加快數倍(氧化增強擴散,OED)。相反地,銻主要經由空缺擴散,所以當間隙矽增加時,空缺減少而變慢(氧化抑制擴散)。這項差異也成為研究擴散機制的線索。

  • A. 電致遷移是配線的金屬原子因電流而移動。
  • B. 通道效應是離子佈植時離子沿著晶體間隙深入的現象。
  • C. 正確。氧化時被注入的間隙矽使擴散加快。
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