MOSFET
在一般積體電路的MOSFET中，關於源極與汲極的關係，下列何者正確？
- A結構大致對稱，由電位關係決定何者為源極
- B源極的雜質濃度必定高於汲極
- C源極與汲極以不同的半導體材料製成
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正確答案：A. 結構大致對稱，由電位關係決定何者為源極
在積體電路的一般MOSFET中，源極與汲極是以相同製程製作的相同結構的擴散層，大致對稱。在nMOS中，電位較低的一側作為源極、較高的一側作為汲極，因此可用於電流方向會互換的用法，例如傳輸閘或DRAM的單元電晶體。另一方面，功率MOSFET與LDMOS為了耐壓而只改變汲極側的結構，是不對稱的元件，無法互換。
- A. 正確。結構對稱，由電位決定角色。
- B. 在一般的MOSFET中，源極與汲極以相同濃度製成。
- C. 源極與汲極以相同材料、相同製程製成。