關於MOSFET的閘極長度（光罩上或加工後的閘極電極長度）與有效通道長度的關係，一般而言下列何者正確？

正確答案：A. 有效通道長度比閘極長度短，短的部分是源極、汲極在閘極下方橫向擴展的量

源極、汲極的雜質會因離子佈植或熱處理而在閘極電極下方橫向稍微擴展，因此有效通道長度比閘極長度短了兩側的重疊量。重疊部分會成為閘極與源極、汲極之間的重疊電容，因米勒效應而使延遲增加。在先進世代中，將熱處理設為極短時間（毫秒退火）以抑制擴展。另外，「3 nm」等世代名稱與實際的閘極長度並不對應。

• A. 正確。會短了橫向擴展（重疊）的量。
• B. 雜質會進入閘極下方，所以有效通道長度是朝變短的方向。
• C. 由於存在橫向擴散，一般並不一致。