在不改變其他條件的情況下加厚閘極絕緣膜，nMOSFET的臨界電壓的大小一般會如何變化？

正確答案：B. 變大

加厚閘極絕緣膜後，Cox變小，支撐相同空乏層電荷所需的閘極電壓增加，因此臨界電壓的大小變大（Vth = VFB + 2φF + Qd/Cox 的第3項增加）。即使在同一晶片內，核心電路也會使用薄膜、1.8 V或3.3 V的輸入輸出電路則使用厚膜的電晶體，區分運用（雙閘極氧化膜）。厚膜電晶體的耐壓較高，但速度較慢，Vth也偏高。

• A. 僅憑絕緣膜的厚度，臨界電壓不會變為零。
• B. 正確。Cox變小，因此所需的閘極電壓增加。
• C. 將絕緣膜變薄，臨界電壓的大小才會朝變小的方向變化。