MOSFET

게이트와 드레인이 겹치는 부분의 강한 전계로 밴드 간 터널 전류가 흘러 오프 시 누설 전류가 늘어나는 현상은 무엇인가?

  1. ADIBL
  2. BNBTI
  3. CGIDL(게이트 유기 드레인 누설)
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정답: C. GIDL(게이트 유기 드레인 누설)

트랜지스터가 꺼져 있어도 게이트와 드레인 사이에 큰 전압이 걸리면 드레인의 게이트 끝 부근에서 밴드가 강하게 휘어 밴드 간 터널 효과로 전류가 흐릅니다. 이것이 GIDL이며, 게이트 전압을 음으로 할수록 늘어나는 것이 특징입니다. DRAM의 셀 트랜지스터처럼 누설을 극히 작게 하고 싶은 소자에서 문제가 되며, 드레인 끝의 농도나 전계 설계로 억제합니다. DIBL은 드레인 전압에 의한 문턱 저하, NBTI는 pMOS의 열화입니다.

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