在多晶矽閘極中，閘極電極側的多晶矽發生空乏所造成的問題，下列何者正確？

正確答案：C. 等同於實際的閘極絕緣膜變厚，使驅動電流降低

多晶矽是半導體，因此對閘極施加電壓時，閘極電極側也會形成厚度約0.3～0.5 nm的空乏層。這會成為串聯的電容，等同於有效絕緣膜厚度增加，使驅動電流下降。當絕緣膜薄化至1 nm等級時，所占比例已不可忽視。自45 nm世代起的High-k/金屬閘極（HKMG）使用金屬電極，因此解決了這個問題。