MOSFET
關於MOSFET的轉導gm的定義，下列何者正確？
- A汲極電流的變化相對於閘極電壓變化的比率
- B將汲極電壓除以汲極電流所得的值
- C閘極絕緣膜的電容
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正確答案：A. 汲極電流的變化相對於閘極電壓變化的比率
轉導為 gm = ∂ID/∂VGS，表示閘極電壓的變化能使汲極電流改變多少。在長通道的飽和區，gm = 2ID/(VGS − Vth) = √(2μCox(W/L)ID)。放大電路的電壓增益為 gm × 負載電阻，單一電晶體的最大增益則由 gm × ro 決定。每單位電流的gm（gm/ID）是效率的指標，類比設計中以gm/ID法決定尺寸的情形日益增多。