MOSFET

MOSFET의 상호 컨덕턴스 gm의 정의로 올바른 것은?

  1. A게이트 전압의 변화에 대한 드레인 전류 변화의 비율
  2. B드레인 전압을 드레인 전류로 나눈 값
  3. C게이트 절연막의 커패시턴스
정답과 해설 보기

정답: A. 게이트 전압의 변화에 대한 드레인 전류 변화의 비율

상호 컨덕턴스는 gm = ∂ID/∂VGS이며, 게이트 전압의 변화가 드레인 전류를 얼마나 바꾸는지를 나타냅니다. 장채널의 포화 영역에서는 gm = 2ID/(VGS − Vth) = √(2μCox(W/L)ID)입니다. 증폭 회로의 전압 이득은 gm × 부하 저항, 트랜지스터 단독의 최대 이득은 gm × ro로 정해집니다. 전류당 gm(gm/ID)은 효율의 지표이며, 아날로그 설계에서는 gm/ID 방법으로 치수를 정하는 경우가 늘고 있습니다.

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