MOSFET

게이트 절연막의 재료와 면적은 바꾸지 않고 막 두께만 얇게 하면 단위 면적당 게이트 커패시턴스는 어떻게 되는가?

  1. A커진다
  2. B작아진다
  3. C변하지 않는다
정답과 해설 보기

정답: A. 커진다

게이트 커패시턴스는 평행판 커패시터로 볼 수 있으며 단위 면적당 Cox = ε/t입니다. 막 두께를 얇게 하면 커패시턴스가 커져 같은 게이트 전압에서 채널에 유도되는 전하가 늘고, 구동 전류가 증가하며 단채널 효과도 억제됩니다. 다만 SiO2를 약 1.2 nm까지 얇게 한 시점에서 터널 전류에 의한 게이트 누설이 한계에 이르렀고, 45 nm 세대부터는 물리적으로 두껍게 할 수 있는 HfO2 계열의 High-k 재료가 사용되고 있습니다.

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