배선 공정
Low-k막을 식각이나 애싱으로 가공할 때 주의해야 할 문제로 올바른 것은?
- A막이 지나치게 단단해진다
- B플라즈마로 막 속의 탄소가 빠지는 등의 손상을 받아 유전율이 올라간다
- C막이 발광한다
정답과 해설 보기
정답: B. 플라즈마로 막 속의 탄소가 빠지는 등의 손상을 받아 유전율이 올라간다
SiOC계 Low-k막은 Si-CH3(메틸기)를 포함하여 유전율을 낮추고 있는데, 산소 플라즈마 등에 노출되면 메틸기가 빠져 Si-OH가 되어 흡습하기 쉬워지고 유전율이 3.0에서 4 이상으로 올라가기도 합니다. 다공질막에서는 공극을 통해 내부까지 손상이 퍼집니다. 그래서 수소계 등 손상이 적은 애싱 조건, 실릴화제로 손상을 회복시키는 처리, 가공 후의 탈수 처리가 필요합니다.