蝕刻
將電漿產生的離子中性化後再照射晶圓,以抑制帶電與紫外線造成的損傷來進行加工,這種處於研究階段的蝕刻方法是下列何者?
- A化學機械研磨
- B中性粒子束蝕刻
- C濕式蝕刻
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正確答案:B. 中性粒子束蝕刻
在中性粒子束蝕刻中,使電漿中的離子通過開有細孔的柵極等而失去電荷,將方向一致的中性粒子照射到晶圓上。由於不帶電荷,不會產生帶電造成的損傷或彎曲,電漿的紫外線也被柵極阻擋,因此幾乎不會產生晶體缺陷。有望應用於化合物半導體、二維材料、GAA的極微細結構等怕損傷的加工。
- A. 化學機械研磨是藉由研磨進行平坦化。
- B. 正確。是以中性化的粒子進行加工的方法。
- C. 濕式蝕刻是以藥液加工,不使用束。