에피택셜 성장
GaAs처럼 극성을 가진 화합물 반도체를 무극성 실리콘 기판 위에 성장시킬 때 생기기 쉬운, 결정 속에서 Ga와 As의 배열이 뒤바뀐 영역의 경계를 무엇이라고 하는가?
- A역위상 경계(APB)
- B쌍정 경계
- C결정립계
정답과 해설 보기
정답: A. 역위상 경계(APB)
GaAs처럼 극성을 가진 화합물을 무극성 실리콘 위에 성장시키면, 표면의 1원자층 단차 양쪽에서 Ga와 As의 위치가 바뀐 영역이 성장하고 그 경계에 역위상 경계(APB)가 생깁니다. APB에는 Ga-Ga나 As-As의 잘못된 결합이 있어 전기적 결함이 됩니다. 오프각이 있는 기판을 열처리하여 2원자층 단차로 정렬시키거나, 홈 안에서 성장시켜 APB를 가두는 등의 대책을 취합니다.
- A. 맞습니다. 원자 배열이 뒤바뀐 영역의 경계입니다.
- B. 쌍정 경계는 거울 대칭 관계에 있는 결정의 경계입니다.
- C. 결정립계는 결정 방향이 다른 결정립의 경계입니다.