매립층 등의 패턴이 있는 기판 위에 실리콘을 에피택셜 성장시켰을 때, 표면에 나타나는 단차의 위치가 아래 패턴에서 어긋나거나 모양이 일그러지는 현상을 무엇이라고 하는가?

정답: A. 패턴 시프트(패턴 어긋남)

에피 성장에서는 결정면의 방위에 따라 성장 속도가 다르기 때문에, 아래 패턴의 단차 위치가 성장과 함께 옆으로 어긋나거나(패턴 시프트), 모양이 무너지거나(패턴 변형), 사라지기도(워시아웃) 합니다. 이후 노광에서 매립층의 위치에 맞출 때의 오차 원인이 되므로, (100)면에서 몇 도 기울인 웨이퍼를 사용하거나 성장 온도와 압력을 조정하는 등의 방법으로 억제합니다.

• A. 맞습니다. 단차의 위치가 어긋나는 현상입니다.
• B. 로딩 효과는 가공하는 면적에 따라 식각이나 성막 속도가 달라지는 현상입니다.
• C. 마이크로 로딩은 패턴의 밀도 등에 따라 국소적으로 식각 속도가 달라지는 현상입니다.