사파이어 기판 위에 고품질 GaN을 성장시키기 위해 아카사키 이사무·아마노 히로시 등이 개발한, 먼저 저온에서 얇은 층을 증착한 뒤 고온에서 GaN을 성장시키는 기술은?

정답: B. 저온 버퍼층 기술

사파이어 위에 GaN을 직접 성장시키면 핵이 듬성듬성 생겨 육각기둥 모양의 거친 결정이 되어 버립니다. 아카사키·아마노 등은 1986년 먼저 약 500 ℃의 저온에서 AlN의 얇은(수십 nm) 버퍼층을 증착하고 그 위에 약 1000 ℃에서 GaN을 성장시킴으로써, 핵이 조밀하게 생겨 평탄하고 고품질인 결정을 얻는 데 성공했습니다. 이 기술과 p형 GaN의 실현이 청색 LED로 이어졌고, 이후 GaN 자체의 저온 버퍼층도 사용되게 되었습니다.

• A. 화학 기계 연마는 표면을 평탄하게 하는 연마 기술입니다.
• B. 맞습니다. 저온에서 증착한 버퍼층을 사용하는 기술입니다.
• C. 플로팅 존법은 실리콘 단결정을 만드는 방법입니다.