에피택셜 성장

MOCVD에 의한 GaN 성장에서 조건으로 관리되는 「V/III비」의 의미는?

  1. A막 두께와 성장 시간의 비
  2. B공급하는 V족 원료(암모니아 등)와 III족 원료(유기 갈륨 등)의 몰비
  3. C성장 온도와 압력의 비
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정답: B. 공급하는 V족 원료(암모니아 등)와 III족 원료(유기 갈륨 등)의 몰비

V/III비는 반응로에 공급하는 V족 원소 원료와 III족 원소 원료의 양의 비입니다. GaN 성장에서는 암모니아의 분해 효율이 낮고 고온에서 질소가 빠져나가기 쉬우므로 V/III비를 수백~수천으로 매우 크게 합니다. V/III비는 표면의 평탄성, 횡방향과 종방향 성장 속도의 균형, 탄소 등 불순물의 유입, 점결함의 양 등에 영향을 주는 중요한 조건입니다.

  • A. 막 두께와 시간의 비는 성장 속도입니다.
  • B. 맞습니다. V족과 III족 원료의 공급비입니다.
  • C. 온도와 압력의 비가 아닙니다.
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