에피택셜 성장
바이폴라 트랜지스터 등에서 에피택셜층 아래에 고농도층(매립층)을 두는 주된 목적은?
- A컬렉터의 직렬 저항을 낮추기 위해
- B베이스를 두껍게 하기 위해
- C에피층을 고저항으로 하기 위해
정답과 해설 보기
정답: A. 컬렉터의 직렬 저항을 낮추기 위해
수직형 바이폴라 트랜지스터에서는 컬렉터 전류가 에피층의 바닥을 가로로 흘러 표면의 컬렉터 전극으로 향합니다. 에피 성장 전에 기판에 비소나 안티몬으로 고농도 n⁺층을 형성하여 매립해 두면 이 경로의 저항이 낮아져 트랜지스터의 포화 전압과 고주파 특성이 개선됩니다. 확산하기 어려운 비소나 안티몬을 사용하여 에피 성장 중의 열로 위쪽으로 스며 나오는 양을 억제합니다.
- A. 맞습니다. 컬렉터의 저항을 낮추기 위한 고농도층입니다.
- B. 베이스의 두께와는 관계가 없습니다.
- C. 에피층의 저항률은 성장 시의 도핑으로 정해집니다.