에피택셜 성장

에피택셜 성장 중에 도핑 가스를 흘려 성장과 동시에 불순물을 첨가하는 것을 무엇이라고 하는가?

  1. A인시추 도핑
  2. B이온 주입
  3. C게터링
정답과 해설 보기

정답: A. 인시추 도핑

인시추 도핑에서는 성장과 동시에 도핑 가스(포스핀, 다이보레인 등)를 흘려 불순물을 유입시키므로, 이온 주입처럼 결정 손상이나 활성화를 위한 고온 어닐링이 필요 없습니다. 가스 유량을 전환하여 깊이 방향으로 정밀한 농도 분포를 만들 수 있고 활성화율도 높일 수 있습니다. 첨단 트랜지스터의 소스·드레인인 SiGe:B나 Si:P 에피층에서는 10²¹ cm⁻³급의 고농도를 실현하고 있습니다.

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