실리콘의 에피택셜 성장을 감압에서 수행할 때의 장점으로 올바른 것은?

정답: A. 오토도핑을 억제하기 쉽다

감압(수 kPa~수십 kPa)에서 에피택셜 성장을 하면 가스의 확산이 빨라져 기판에서 증발한 불순물이 성장면 근처의 경계층에 머물기 어려워지므로 오토도핑을 억제할 수 있습니다. 경계층이 두꺼워져 가스가 균일하게 퍼지기 때문에 막 두께의 균일성도 좋아지는 경향이 있고 선택 성장도 쉬워집니다. 한편 성장 속도는 상압보다 느려지는 경향이 있으므로 용도에 따라 구분하여 사용합니다.