薄膜沉積(CVD與PVD)

主要用來製作鋁配線薄膜的成膜方法為下列何者?

  1. A離子植入
  2. B濺鍍
  3. C熱氧化
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正確答案:B. 濺鍍

鋁配線一直是以濺鍍成膜:以氬離子轟擊含有約0.5%銅(過去還含有矽)的合金靶材,使擊出的原子沉積在晶圓上。銅是為了提高對電致遷移的耐受性,矽則是為了防止與底層矽的反應(尖凸,spike)。之後再描繪圖案並乾式蝕刻成為配線。0.13 µm世代以後,主要配線已改用銅。

  • A. 離子植入是打入雜質的製程。
  • B. 正確。鋁配線一直是以濺鍍成膜。
  • C. 熱氧化是形成矽氧化膜的製程。
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