許多成膜在真空裝置中進行，其主要理由為下列何者？

正確答案：C. 為了防止雜質混入薄膜，以及原料粒子與氣體分子產生不必要的碰撞

大氣中有氧、水分與微粒，會使薄膜受到污染或氧化。此外，在濺鍍或蒸鍍中，飛行的原子一旦與氣體分子碰撞，方向就會改變而難以到達基板，因此必須使氣體分子不碰撞即可前進的距離（平均自由徑）長於裝置的尺寸。所以多數成膜在真空或低壓的裝置中進行，也使用在維持真空的狀態下連續進行多道製程的群集式（cluster）裝置。

• A. 與晶圓的重量無關。
• B. 並不是為了降低噪音。
• C. 正確。是為了防止污染與不必要的碰撞。