CMP装置の基本的な構成として正しいものはどれか。

正解：C. 回転する定盤に貼った研磨パッドに、研磨ヘッドで保持したウエハを押し当て、スラリーを供給しながら研磨する

CMP装置では、研磨パッドを貼った定盤(プラテン)を回転させ、研磨ヘッドで保持したウエハを下向きに押し当てます。研磨粒子と薬液を含むスラリーを供給し、化学的な作用と機械的な研磨を組み合わせて表面を削ります。パッドの表面はドレッサーで整えます。

• A. イオンビームで削るのはイオンミリングなどです。
• B. 薬液に浸すだけではウェットエッチングです。
• C. 正しい。回転するパッドにウエハを押し当ててスラリーで研磨します。