첨단 패키징(3D와 칩렛)

HBM에서 하나의 스택에 쌓을 수 있는 DRAM 다이의 수로 일반적인 것은?

  1. A1장
  2. B2장
  3. C8~16장 정도
정답과 해설 보기

정답: C. 8~16장 정도

HBM에서는 TSV로 연결한 DRAM 다이를 8장, 12장, 나아가 16장까지 쌓고, 최하부의 베이스 다이(로직 다이)와 조합하여 하나의 스택으로 만듭니다. 스택의 높이는 규격으로 정해져 있으므로 적층 수를 늘리려면 다이를 30 µm 정도까지 얇게 하고 접합층도 얇게 해야 하며, 열 문제에 대한 대책도 빠뜨릴 수 없습니다. 1장이나 2장으로는 적층의 이점을 살릴 수 없습니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

첨단 패키징(3D와 칩렛)의 다른 문제

  1. 서로 다른 제조 공정이나 재료로 만든 칩을 하나의 패키지에 통합하는 개념을 무엇이라 하는가?
  2. TSV의 일반적인 형성 공정으로 올바른 것은?
  3. 원형 웨이퍼가 아니라 대형 각형 패널 위에서 패키지를 일괄 제조하는 방식의 주된 목적은?
  4. TSV를 형성한 칩을 적층하기 위해 웨이퍼를 뒷면에서 연삭하여 얇게 만드는 두께의 기준으로 올바른 것은?
  5. 칩렛을 사용함으로써 기대할 수 있는 이점으로 올바른 것은?

이 분야의 비교