ウェアレベリング란?
うぇあれべりんぐ
フラッシュメモリの書き換えが特定のブロックに集中しないよう、書き込み先を分散させて寿命を延ばす技術。
일본어 명칭: ウェアレベリング
분야: SRAM과 플래시 메모리
관련 용어
3D NAND 6T SRAMセル 不揮発性メモリ 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション) 電荷トラップ型セル FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム) NAND型フラッシュメモリ NOR型フラッシュメモリ NVMe SLC(シングルレベルセル)
うぇあれべりんぐ
フラッシュメモリの書き換えが特定のブロックに集中しないよう、書き込み先を分散させて寿命を延ばす技術。
일본어 명칭: ウェアレベリング
분야: SRAM과 플래시 메모리
3D NAND 6T SRAMセル 不揮発性メモリ 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション) 電荷トラップ型セル FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム) NAND型フラッシュメモリ NOR型フラッシュメモリ NVMe SLC(シングルレベルセル)