SRAM과 플래시 메모리

저전압에서의 SRAM 쓰기 실패를 방지하는 「쓰기 어시스트」의 예로 올바른 것은?

  1. A쓰기 시 0 쪽 비트선을 약간 음의 전압으로 끌어내린다
  2. B셀의 전원 전압을 쓰기 시에 높인다
  3. C워드선의 전압을 낮춘다
정답과 해설 보기

정답: A. 쓰기 시 0 쪽 비트선을 약간 음의 전압으로 끌어내린다

저전압에서는 액세스 트랜지스터의 구동력이 부족해 셀의 풀업을 이기지 못하고 쓰기에 실패하기 쉬워집니다. 0을 쓰는 쪽의 비트선을 음의 전압(-100~-200 mV 정도)까지 끌어내리는 음 비트선 방식에서는 액세스 트랜지스터의 게이트-소스 간 전압이 늘어나 쓰기가 쉬워집니다. 쓰기 시에 셀의 전원 전압을 낮추어 풀업을 약하게 하는 방식도 사용되며, 첨단 공정의 SRAM에서는 이런 어시스트 회로가 필수적입니다.

  • A. 올바릅니다. 음 비트선으로 쓰기를 돕습니다.
  • B. 쓰기 시에는 셀의 전원 전압을 낮추는 쪽이 셀을 반전시키기 쉽습니다.
  • C. 워드선을 낮추면 액세스 트랜지스터가 약해져 쓰기가 어려워집니다.
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