SRAM과 플래시 메모리

3D NAND에서 많이 사용되는 전하 트랩형 셀에서, 전하를 저장하는 층의 재료로 일반적인 것은?

  1. A구리
  2. B실리콘 질화막(SiN)
  3. C알루미늄
정답과 해설 보기

정답: B. 실리콘 질화막(SiN)

전하 트랩형 셀에서는 도전성 플로팅 게이트 대신, 절연체인 실리콘 질화막 속의 포획 준위(트랩)에 전자를 저장합니다. 전하가 막 속에 국재하여 움직이지 않기 때문에 절연막 일부에 결함이 있어도 모든 전하가 새지는 않으며, 이웃 셀과의 간섭도 작아집니다. SiO2/SiN/SiO2의 적층(ONO)을 구멍의 벽에 연속해서 성막할 수 있어, 세로로 쌓아 올리는 3D NAND와 궁합이 좋은 구조입니다.

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