SRAM과 플래시 메모리

플래시 메모리의 재기록 가능 횟수에 상한이 있는 주된 이유는?

  1. A재기록을 반복하면 전자가 통과하는 터널 산화막이 열화되기 때문
  2. B커패시터의 용량이 늘어나기 때문
  3. C배선이 늘어나기 때문
정답과 해설 보기

정답: A. 재기록을 반복하면 전자가 통과하는 터널 산화막이 열화되기 때문

플래시에서는 쓰기·소거 때마다 약 10 MV/cm의 고전계로 전자가 터널 산화막을 통과하며, 그중 일부가 막 속에 포획되거나 결함을 만듭니다. 이를 반복하면 문턱 전압의 윈도가 좁아지고 보존 중에 전자가 새기 쉬워집니다(SILC). 그래서 재기록 횟수에는 상한이 있고, 상태 간 간격이 좁은 다치(多値)일수록 영향을 받기 쉬워 SLC의 약 10만 회에 비해 TLC는 수천 회 정도입니다.

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