전력 반도체
파워 MOSFET에서 게이트를 실리콘에 판 홈 안에 매립하는 트렌치 게이트 구조의 주된 이점은 무엇입니까?
- A게이트 용량이 0이 된다
- B내압이 반드시 2배가 된다
- C셀을 고밀도로 배열해 채널 폭을 늘리고 온 저항을 낮출 수 있다
정답과 해설 보기
정답: C. 셀을 고밀도로 배열해 채널 폭을 늘리고 온 저항을 낮출 수 있다
트렌치 게이트 구조에서는 채널이 홈의 측벽에 세로로 생기므로, 평면(플래너)형보다 단위 면적당 더 많은 셀을 배열할 수 있어 채널의 총 폭이 늘어납니다. 또한 플래너형에서 인접한 셀 사이에 생기는 저항(JFET 저항)이 없어져 온 저항을 낮출 수 있습니다. 저내압 Si MOSFET이나 IGBT, 최근의 SiC MOSFET에서 주류이지만, 홈 바닥 모서리에 전계가 집중되므로 그 보호 구조가 중요합니다.
- A. 게이트 용량은 없어지지 않으며, 오히려 늘어나는 경향이 있습니다.
- B. 내압은 주로 드리프트층으로 결정되며, 구조만으로 2배가 되지는 않습니다.
- C. 옳습니다. 셀을 고밀도화해 온 저항을 낮춥니다.