전력 반도체

SiC MOSFET의 바디 다이오드에 전류를 계속 흘리면 특성이 열화될 수 있는 원인으로 알려진 것은 무엇입니까?

  1. A결정 속 기저면 전위가 적층 결함으로 확대되는 것
  2. B게이트 전극이 녹는 것
  3. C패키지가 발광하는 것
정답과 해설 보기

정답: A. 결정 속 기저면 전위가 적층 결함으로 확대되는 것

SiC의 바디 다이오드에 순방향 전류를 흘리면 전자와 정공이 재결합하는 에너지로 결정 속 기저면 전위가 적층 결함으로 확대되어 온 전압이 상승하는 경우가 있습니다(바이폴라 열화). 적층 결함은 도통을 방해하는 면 형태의 결함입니다. 기저면 전위를 에피 성장 도중에 다른 종류의 전위로 변환하는 버퍼층 연구나, 바디 다이오드에 의존하지 않고 쇼트키 다이오드를 내장하는 등의 대책이 취해지고 있습니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

전력 반도체의 다른 문제

  1. GaN 파워 디바이스의 채택이 진행되고 있는 친숙한 제품의 예로 올바른 것은 무엇입니까?
  2. 파워 반도체의 주된 역할로 올바른 것은 무엇입니까?
  3. 온 저항 10 mΩ인 파워 MOSFET에 10 A의 전류가 흐르고 있을 때 도통 손실은 얼마입니까?
  4. 파워 디바이스에 히트싱크(방열기)를 부착하는 주된 목적은 무엇입니까?
  5. 3상 모터를 구동하는 일반적인 3상 인버터에서 사용되는 스위칭 소자의 수는 몇 개입니까?

이 분야의 비교