산화와 확산

게이트 산화막에 질소를 도입하여 산질화막(SiON)으로 만드는 주된 목적은?

  1. A게이트 전극에서 붕소가 뚫고 나가는 것을 억제하여 신뢰성을 높이기 위해
  2. B막을 도전성으로 만들기 위해
  3. C식각 속도를 빠르게 하기 위해
정답과 해설 보기

정답: A. 게이트 전극에서 붕소가 뚫고 나가는 것을 억제하여 신뢰성을 높이기 위해

p+ 폴리실리콘 게이트에 포함된 붕소는 두께 2 nm 안팎의 얇은 게이트 산화막을 열처리 중에 뚫고 채널로 들어가 문턱 전압을 변동시킵니다. 질소를 도입하면 붕소의 확산이 억제되고 비유전율도 3.9에서 5~6 정도까지 올라가므로, 같은 EOT에서 물리적으로 더 두껍게 만들 수 있어 누설도 줄어듭니다. 핫 캐리어 내성 등의 신뢰성도 향상되어 High-k 이전 세대에서 표준적으로 사용되었습니다.

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