MOSFET
短チャネルのMOSFETで、ドレイン電流が(VGS − Vth)の2乗則より小さくなり、1乗に近い依存性を示すようになる主な原因はどれか。
- A基板バイアス効果
- Bゲート容量の増加
- Cキャリアの速度飽和
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正解:C. キャリアの速度飽和
チャネルが短くなると、チャネル内の電界が強くなり、キャリアの速度が上限(飽和速度)に達してしまいます。そのためゲート電圧を上げても電流は2乗則ほど増えず、(VGS − Vth)の1乗に近い依存性になります。
MOSFET
正解:C. キャリアの速度飽和
チャネルが短くなると、チャネル内の電界が強くなり、キャリアの速度が上限(飽和速度)に達してしまいます。そのためゲート電圧を上げても電流は2乗則ほど増えず、(VGS − Vth)の1乗に近い依存性になります。