MOSFETのポリシリコンゲート電極を低抵抗にするために、ゲートに不純物を導入する方法として一般的に使われてきたものはどれか。

正解：B. イオン注入(ソース・ドレインと同時に行うことも多い)

ポリシリコンゲートは不純物を高濃度に導入して導電性を高めます。nMOSにはn型、pMOSにはp型の不純物をイオン注入し、多くの場合ソース・ドレインの注入と同時に行います。導入した不純物はアニールで活性化します。

• A. 光を当てても不純物は導入されません。
• B. 正しい。イオン注入で不純物を導入します。
• C. 水に浸しても不純物は導入されません。