マスクの端の付近にイオン注入したとき、不純物がマスクの下まで横方向に広がって入り込む原因として正しいものはどれか。

正解：C. 注入されたイオンが原子との衝突で横方向にも散乱する(横方向の広がりをもつ)ため

注入されたイオンは、シリコン原子との衝突を繰り返しながら止まるため、深さ方向だけでなく横方向にも広がります(横方向の標準偏差)。そのため、マスクの端の下にも不純物が入り込みます。ゲートの端とソース・ドレインの重なりなどに影響します。

• A. ウエハの回転が原因ではありません。
• B. マスクが溶けることが原因ではありません。
• C. 正しい。衝突による横方向の散乱で広がります。