이온 주입
MOSFET의 폴리실리콘 게이트 전극을 저저항으로 만들기 위해 게이트에 불순물을 도입하는 방법으로 일반적으로 사용되어 온 것은 무엇인가?
- A게이트에 빛을 쬔다
- B이온 주입(소스·드레인과 동시에 하는 경우가 많음)
- C게이트를 장시간 물에 담근다
정답과 해설 보기
정답: B. 이온 주입(소스·드레인과 동시에 하는 경우가 많음)
폴리실리콘 게이트는 불순물을 10²⁰ cm⁻³ 정도 이상의 고농도로 도입하여 도전성을 높입니다. nMOS에는 n형, pMOS에는 p형 불순물을 대개 소스·드레인 주입과 동시에 이온 주입하며(듀얼 게이트), 이를 통해 문턱 전압도 좌우 대칭으로 설계할 수 있습니다. 도입한 불순물은 어닐링으로 활성화하지만, 게이트 아래쪽까지 충분히 활성화되지 않으면 게이트 공핍화가 일어납니다.
- A. 빛을 쬐어도 불순물은 도입되지 않습니다.
- B. 올바릅니다. 이온 주입으로 불순물을 도입합니다.
- C. 물에 담가도 불순물은 도입되지 않습니다.