為了降低MOSFET多晶矽閘極電極的電阻，一般用來在閘極中導入雜質的方法為下列何者？

正確答案：B. 離子佈植（也常與源極、汲極同時進行）

多晶矽閘極是以10²⁰ cm⁻³左右以上的高濃度導入雜質來提高導電性。nMOS導入n型、pMOS導入p型雜質，多半與源極、汲極的佈植同時以離子佈植進行（雙閘極，dual gate），這也使臨界電壓可以左右對稱地設計。導入的雜質以退火活化，但若閘極下側未充分活化，就會發生閘極空乏。

• A. 照光並不會導入雜質。
• B. 正確。以離子佈植導入雜質。
• C. 浸在水中並不會導入雜質。