LSIの製造で使われるイオン注入のドーズ量の範囲として最も近いものはどれか。

正解：B. 約10¹¹〜10¹⁶ cm⁻²

しきい値電圧の調整などでは10¹¹〜10¹³ cm⁻²程度、ソース・ドレインやゲートの低抵抗化では10¹⁵ cm⁻²前後の大きなドーズが使われ、全体として10¹¹〜10¹⁶ cm⁻²程度の広い範囲をカバーします。この広い範囲を精度よく制御できることがイオン注入の強みです。

• A. 10³⁰ cm⁻²はシリコンの表面の原子の数(約10¹⁵ cm⁻²)をはるかに超え、ありえません。
• B. 正しい。用途に応じて10¹¹〜10¹⁶ cm⁻²程度が使われます。
• C. 10¹〜10³ cm⁻²では少なすぎて、電気的な特性はほとんど変わりません。