離子佈植
LSI製造中所使用的離子佈植劑量範圍，下列何者最接近？
- A約10³⁰ cm⁻²以上
- B約10¹¹～10¹⁶ cm⁻²
- C約10¹～10³ cm⁻²
查看答案與解析
正確答案：B. 約10¹¹～10¹⁶ cm⁻²
臨界電壓調整等約為10¹¹～10¹³ cm⁻²，源極、汲極或閘極的低電阻化在10¹⁵ cm⁻²前後，Smart Cut的氫則在10¹⁶ cm⁻²以上，整體使用了5個數量級以上的寬廣範圍。以10¹² cm⁻²佈植時，每1 cm²進入的離子有1兆個，但也只有表面原子數的約千分之一。能以約±1%的精度控制如此寬廣的範圍，正是離子佈植的優勢。
- A. 10³⁰ cm⁻²遠超過矽表面的原子數（約10¹⁵ cm⁻²），不可能。
- B. 正確。依用途使用約10¹¹～10¹⁶ cm⁻²。
- C. 10¹～10³ cm⁻²太少，幾乎不會改變電特性。