エピタキシャル成長

Si基板の上にGaNを成長させるときの主な課題はどれか。

  1. A基板が非常に高価である
  2. B格子定数や熱膨張係数の差が大きく、転位やクラック、ウエハの反りが生じやすい
  3. CGaNがまったく成長しない
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正解：B. 格子定数や熱膨張係数の差が大きく、転位やクラック、ウエハの反りが生じやすい

GaNとシリコンは格子定数の差が大きいため転位が多く発生し、熱膨張係数の差も大きいため、成長後に冷やすとクラックやウエハの反りが生じやすくなります。AlNやAlGaNなどのバッファ層を工夫することで、大口径のSi基板上へのGaNの成長が実用化されています。

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