에피택셜 성장

실리콘 에피택셜 성장 직전에 고온의 수소 분위기에서 웨이퍼를 가열하는 주된 목적은?

  1. A표면을 두껍게 산화시키기 위해
  2. B불순물을 고농도로 첨가하기 위해
  3. C표면의 자연 산화막을 제거하고 청정한 결정면을 노출시키기 위해
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정답: C. 표면의 자연 산화막을 제거하고 청정한 결정면을 노출시키기 위해

표면에 자연 산화막(약 1 nm)이나 탄소 등의 오염이 남아 있으면 그 위에는 단결정이 제대로 성장하지 않아 적층 결함 등의 원인이 됩니다. 성장 전에 수소 중에서 약 1100 ℃로 가열(수소 베이크)하면 SiO2가 실리콘과 반응하여 SiO로 증발하고 청정한 실리콘 결정면이 노출됩니다. 열 예산을 줄여야 하는 첨단 공정에서는 사전 약액 세정이나 플라스마 처리와 조합하여 더 낮은 온도에서 수행합니다.

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