Wat is Threading-dislocatie?

Dislocatie die door de gegroeide laag heen tot aan het oppervlak doorloopt. Bij GaN op saffier of silicium is de dichtheid hoog (ongeveer 10⁸ tot 10⁹ cm⁻²) en verslechtert ze de eigenschappen en betrouwbaarheid van componenten.

Japanse benaming: 貫通転位