SRAM-geheugencel die bestaat uit twee kruislings gekoppelde inverters (4 transistoren) en twee toegangstransistoren.
Japanse benaming: 6T SRAMセル
“6T-SRAM-cel” komt voor in 2 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. SRAM en flashgeheugen.
Vakgebied: SRAM en flashgeheugen
Antwoord: C. De pull-down- (aandrijf-)transistor sterker maken dan de toegangstransistor
Bij het lezen vloeit naar het knooppunt dat een 0 bevat een stroom van de voorgeladen bitlijn via de toegangstransistor, waardoor de spanning een beetje stijgt. Als de pull-downtransistor voldoende sterker is dan de toegangstransistor (celverhouding β = pull-down/toegang van ca. 1,5 tot 2,5), blijft deze stijging kleiner dan de drempel van de tegenoverliggende inverter en slaan de gegevens niet om. Het kan ook worden aangepakt met 8T-cellen en leesondersteuning.
Een 6T-SRAM-cel bestaat uit een latch van twee inverters (4 transistors) die zo zijn verbonden dat de uitgang van de ene de ingang van de andere is, en twee toegangstransistors die de verbinding met de bitlijnen regelen.
Wat is de juiste opbouw van een gebruikelijke SRAM-cel met …Bitlijn Via 3D NAND Charge-trap-cel Floating gate Fowler-Nordheim-tunnelstroom (FN) Garbage collection NAND-flashgeheugen Niet-vluchtig geheugen NOR-flashgeheugen