Niet-vluchtig geheugen dat het verschil in snelheid, capaciteit en kosten tussen DRAM en NAND-flash wil opvullen. Producten op basis van 3D XPoint waren het bekendste voorbeeld.
Japanse benaming: ストレージクラスメモリ
“Storage class memory” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Opkomende geheugentechnologieën.
Vakgebied: Opkomende geheugentechnologieën
Antwoord: A. Een niet-vluchtig geheugen dat het verschil in snelheid, capaciteit en kosten tussen DRAM en NAND-flash overbrugt
Tussen DRAM en NAND zit een verschil van circa een factor 1000 in toegangstijd (enkele tientallen ns tegenover enkele tientallen µs) en van circa een factor 10 in prijs per bit. Een niet-vluchtig geheugen dat deze kloof overbrugt, goedkoper en groter dan DRAM en ordes van grootte sneller dan NAND, heet storage class memory (SCM). Een bekend voorbeeld was Optane van Intel op basis van faseveranderingsgeheugen, maar de beëindiging daarvan werd in 2022 aangekondigd. Tegenwoordig wordt dit gebied bediend door snelle NAND van het SLC-type en door via CXL aangesloten geheugen.
Een niet-vluchtig geheugen dat deze kloof overbrugt, goedkoper en groter dan DRAM en ordes van grootte sneller dan NAND, heet storage class memory (SCM).
Welke uitspraak over de positie van 'storage class memory' …Niet-vluchtig geheugen SLC (single-level cell) Via CXL 3D XPoint Chalcogeniden Crosspoint-geheugen FeFET (ferro-elektrische transistor) FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) Forming