Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over de positie van 'storage class memory' is juist?

  1. AEen niet-vluchtig geheugen dat het verschil in snelheid, capaciteit en kosten tussen DRAM en NAND-flash overbrugt
  2. BEen register binnen de CPU
  3. CEen soort optische schijf
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Een niet-vluchtig geheugen dat het verschil in snelheid, capaciteit en kosten tussen DRAM en NAND-flash overbrugt

Tussen DRAM en NAND zit een verschil van circa een factor 1000 in toegangstijd (enkele tientallen ns tegenover enkele tientallen µs) en van circa een factor 10 in prijs per bit. Een niet-vluchtig geheugen dat deze kloof overbrugt, goedkoper en groter dan DRAM en ordes van grootte sneller dan NAND, heet storage class memory (SCM). Een bekend voorbeeld was Optane van Intel op basis van faseveranderingsgeheugen, maar de beëindiging daarvan werd in 2022 aangekondigd. Tegenwoordig wordt dit gebied bediend door snelle NAND van het SLC-type en door via CXL aangesloten geheugen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over een algemeen voordeel van MRAM ten opzichte van flashgeheugen is juist?
  2. Welk ferro-elektrisch materiaal dat goed met het CMOS-proces samengaat, krijgt de laatste jaren aandacht als materiaal voor FeRAM en ferro-elektrische transistoren (FeFET)?
  3. Welke methode om een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM) in de amorfe toestand met hoge weerstand te brengen (reset) is juist?
  4. Wat is de belangrijkste verwachte toepassing van in-memory computing met bijvoorbeeld resistief geheugen?
  5. Welke uitspraak over het uitlezen van FeRAM van het condensatortype is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp