Nederlands
Menu

MOSFET

Welke uitleg over de 'aan-weerstand' bij gebruik van een MOSFET als schakelaar is juist?

  1. ADe weerstand tussen source en drain in de uit-toestand
  2. BDe weerstand van de gate-elektrode zelf
  3. CDe weerstand tussen source en drain in de aan-toestand; hoe kleiner, hoe minder verlies
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De weerstand tussen source en drain in de aan-toestand; hoe kleiner, hoe minder verlies

De aan-weerstand RDS(on) is de weerstand tussen drain en source wanneer de MOSFET geleidt, en het geleidingsverlies is I²R. Bij 10 A door 10 mΩ is het verlies bijvoorbeeld 1 W. Naarmate de gatespanning hoger is, zijn er meer ladingdragers in het kanaal en wordt de weerstand lager, en bij hogere temperatuur wordt hij groter (richtwaarde ongeveer 1,5 keer bij 100 °C). Bij vermogens-MOSFET's neemt de aan-weerstand sterk toe bij hogere doorslagspanning, en om dat compromis te doorbreken worden de super-junction-structuur en SiC gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke relatie tussen source en drain is juist bij MOSFET's in gangbare geïntegreerde schakelingen?
  2. Welke voorwaarde is juist voor het werken van een lang-kanaal nMOSFET in het verzadigingsgebied? (Neem VGS > Vth aan)
  3. Wat gebeurt er met de drempelspanning als de onzuiverheidsconcentratie van het kanaalgebied (p-type substraat) van een nMOSFET wordt verhoogd?
  4. Wat gebeurt er in het algemeen met de grootte van de drempelspanning van een nMOSFET als de gate-isolator dikker wordt gemaakt zonder andere condities te wijzigen?
  5. Welke relatie tussen de gatelengte (lengte van de gate-elektrode op het masker of na bewerking) en de effectieve kanaallengte van een MOSFET is in het algemeen juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp