Wat is Bodydiode?

Parasitaire diode die door de structuur van een vermogens-MOSFET tussen source en drain ontstaat. Kan in een omvormer als vrijloopdiode dienen, maar het sperherstelgedrag vraagt aandacht.

Japanse benaming: ボディダイオード

“Bodydiode” komt voor in 3 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Vermogenshalfgeleiders, MOSFET.

Vakgebied: Vermogenshalfgeleiders

Nu oefenen: vragen over Bodydiode

Wat is de bekende oorzaak waarom de eigenschappen van een SiC-MOSFET kunnen verslechteren als er continu stroom door de bodydiode vloeit?

  1. ABasale-vlakdislocaties in het kristal breiden uit tot stapelfouten
  2. BDe gate-elektrode smelt
  3. CDe behuizing zendt licht uit
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Basale-vlakdislocaties in het kristal breiden uit tot stapelfouten

Wanneer een voorwaartse stroom door de bodydiode van SiC vloeit, kunnen basale-vlakdislocaties in het kristal door de recombinatie-energie van elektronen en gaten uitbreiden tot stapelfouten, waardoor de aan-spanning stijgt (bipolaire degradatie). Stapelfouten zijn vlakke defecten die de geleiding belemmeren. Er worden maatregelen genomen zoals een bufferlaag die basale-vlakdislocaties tijdens de epitaxiale groei omzet in een ander type dislocatie, en het inbouwen van een Schottkydiode zodat niet op de bodydiode wordt vertrouwd.

“Bodydiode” in de toelichting

Vragen met “Bodydiode” (3)

  1. Wat is de bekende oorzaak waarom de eigenschappen van een SiC-MOSFET kunnen verslechteren als er continu stroom door de bodydiode vloeit?
  2. Welke is naast gate, source en drain de andere aansluiting van een MOSFET?
  3. Hoe heet de parasitaire diode die structureel in een vermogens-MOSFET aanwezig is?

Verwante termen

SiC (siliciumcarbide) Epitaxiale groei Vermogens-MOSFET (power MOSFET) Aan-weerstand (on-resistance) DC-DC-omvormer Dode tijd (dead time) Gatedriver IGBT Kortsluitvastheid Normally-off

Naar de woordenlijst