Wat is het belangrijkste voordeel van de trenchgatestructuur bij vermogens-MOSFET’s, waarbij de gate is ingebed in een in het silicium gegraven sleuf?

Antwoord: C. Cellen kunnen met hoge dichtheid worden geplaatst, waardoor de kanaalbreedte toeneemt en de aan-weerstand daalt

Bij de trenchgatestructuur ontstaat het kanaal verticaal op de zijwand van de sleuf, zodat per oppervlakte-eenheid meer cellen kunnen worden geplaatst dan bij het vlakke (planaire) type en de totale kanaalbreedte toeneemt. Bovendien verdwijnt de weerstand (JFET-weerstand) die bij het planaire type tussen aangrenzende cellen ontstaat, zodat de aan-weerstand kan dalen. Het is gangbaar bij Si-MOSFET’s en IGBT’s voor lage doorslagspanning en bij recente SiC-MOSFET’s, maar omdat het veld zich concentreert in de hoeken onderaan de sleuf, is de beschermingsstructuur daarvan van belang.