Vermogenshalfgeleiders

Wat is de juiste reden dat de gatespanning een tijdlang vlak blijft (“Miller-plateau”) wanneer de gate van een vermogens-MOSFET met een constante stroom wordt opgeladen?

  1. AOmdat de gatestroom stopt
  2. BOmdat de gate-isolator tijdelijk doorslaat
  3. COmdat de gatestroom wordt gebruikt voor het op- en ontladen van de gate-draincapaciteit terwijl de drainspanning verandert
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Omdat de gatestroom wordt gebruikt voor het op- en ontladen van de gate-draincapaciteit terwijl de drainspanning verandert

Tijdens het schakelen, terwijl de drainspanning sterk verandert, wordt de op de gate gestuurde stroom gebruikt voor het op- en ontladen van de gate-draincapaciteit (Millercapaciteit Cgd) en blijft de gatespanning vrijwel constant. Dit vlakke deel is het Miller-plateau; omdat de drainspanning in deze periode omschakelt, concentreert het verlies zich hier. De duur van het plateau is ongeveer “gate-drainlading Qgd ÷ gatestroom”, en componenten met een kleine Qgd kunnen sneller schakelen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Vermogenshalfgeleiders

  1. Wat is de belangrijkste reden dat bij het aansturen van SiC-MOSFET’s en IGBT’s in de uit-toestand soms een negatieve spanning (bijvoorbeeld −3 tot −5 V) op de gate wordt gezet?
  2. Wat is de meest voorkomende nominale waarde voor de maximale junctietemperatuur (Tj max) van gebruikelijke silicium-vermogenscomponenten?
  3. Wat is de belangrijkste reden om bij de keuze van vermogenscomponenten een nominale spanning met marge aan te houden en een component met een hogere doorslagspanning dan de werkelijke gebruiksspanning te gebruiken (derating)?
  4. In welk geval wordt de “lawinevastheid” (avalanche ruggedness) van een vermogens-MOSFET belangrijk?
  5. Welke storing is typisch bij de “power-cycling-test”, waarbij een vermogensmodule herhaaldelijk temperatuurstijging en -daling ondergaat?

Vergelijkingen bij dit onderwerp