Welke uitspraak over het verband tussen doorslagspanning en aan-weerstand bij silicium-vermogens-MOSFET’s is juist?

Antwoord: C. Bij een hogere doorslagspanning wordt de aan-weerstand gemakkelijk groter

Voor een hogere doorslagspanning moet de driftlaag die de spanning opneemt dikker worden gemaakt en een lagere onzuiverheidsconcentratie hebben, waardoor de weerstand toeneemt. Theoretisch is de aan-weerstand van unipolaire Si-componenten evenredig met de doorslagspanning tot de macht ca. 2,5; bij een verdubbeling van de doorslagspanning wordt de aan-weerstand ca. 5,7 keer zo groot (siliciumlimiet). Om deze afweging te doorbreken worden de superjunctiestructuur en SiC en GaN met een hoog kritiek doorslagveld gebruikt.