Nederlands
Menu

MOSFET

Welke relatie tussen source en drain is juist bij MOSFET's in gangbare geïntegreerde schakelingen?

  1. ADe structuur is vrijwel symmetrisch en de potentiaalverhouding bepaalt welke de source is
  2. BDe source heeft altijd een hogere onzuiverheidsconcentratie dan de drain
  3. CSource en drain zijn van verschillende halfgeleidermaterialen gemaakt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De structuur is vrijwel symmetrisch en de potentiaalverhouding bepaalt welke de source is

Bij gangbare MOSFET's in geïntegreerde schakelingen zijn source en drain diffusiegebieden met dezelfde structuur die in dezelfde processtap zijn gemaakt, en ze zijn vrijwel symmetrisch. Bij een nMOS werkt de kant met lagere potentiaal als source en die met hogere potentiaal als drain, zodat gebruik mogelijk is waarbij de stroomrichting wisselt, zoals bij transmissiegates en celtransistors van DRAM. Vermogens-MOSFET's en LDMOS daarentegen zijn asymmetrische elementen waarvan alleen de drainzijde voor de doorslagspanning anders is opgebouwd en die niet verwisseld kunnen worden.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke voorwaarde is juist voor het werken van een lang-kanaal nMOSFET in het verzadigingsgebied? (Neem VGS > Vth aan)
  2. Wat gebeurt er met de drempelspanning als de onzuiverheidsconcentratie van het kanaalgebied (p-type substraat) van een nMOSFET wordt verhoogd?
  3. Wat gebeurt er in het algemeen met de grootte van de drempelspanning van een nMOSFET als de gate-isolator dikker wordt gemaakt zonder andere condities te wijzigen?
  4. Welke relatie tussen de gatelengte (lengte van de gate-elektrode op het masker of na bewerking) en de effectieve kanaallengte van een MOSFET is in het algemeen juist?
  5. Welke uitleg over punch-through van een MOSFET is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp