Proces waarbij de energie van een recombinerend elektron en gat niet als licht maar aan een andere ladingdrager wordt afgegeven. Treedt vooral op bij hoge ladingsdragerconcentraties en hangt samen met de levensduur in sterk gedoteerde lagen en met efficiëntieverlies van LED's.
Japanse benaming: オージェ再結合
“Auger-recombinatie” komt voor in 2 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Halfgeleiderfysica, Verbindingshalfgeleiders.
Vakgebied: Halfgeleiderfysica
Antwoord: B. Auger-recombinatie
Bij Auger-recombinatie wordt de bij de recombinatie vrijkomende energie overgedragen aan een derde ladingdrager en uiteindelijk omgezet in warmte. Omdat drie ladingdragers betrokken zijn, is de recombinatiesnelheid ongeveer evenredig met de derde macht van de ladingdragerconcentratie en wordt ze bij hogere concentraties sterk. Daarom beperkt ze de efficiëntie van hooggedoteerde emitters en zonnecellen en wordt ze beschouwd als een van de oorzaken van “droop”, de efficiëntiedaling van LED’s bij grote stroom. Ze verschilt van stralingsrecombinatie, waarbij licht wordt uitgezonden.
Antwoord: A. Efficiency droop
De lichtefficiëntie van InGaN-gebaseerde LED's is maximaal bij een relatief kleine stroomdichtheid van enkele A/cm² en neemt af bij toenemende stroom. Dit heet efficiency droop; als belangrijkste oorzaken gelden Auger-recombinatie, die met de derde macht van de ladingsdragerdichtheid toeneemt, en het weglekken van elektronen over de actieve laag heen. Bij verlichting met hoog vermogen wordt de stroomdichtheid verlaagd door grotere chips te gebruiken of er veel naast elkaar te plaatsen. Ook laserverlichting met weinig droop wordt onderzocht.
Bij Auger-recombinatie wordt de bij de recombinatie vrijkomende energie overgedragen aan een derde ladingdrager en uiteindelijk omgezet in warmte.
Welke recombinatie, die zich vooral voordoet bij hoge ladin…Dit heet efficiency droop; als belangrijkste oorzaken gelden Auger-recombinatie, die met de derde macht van de ladingsdragerdichtheid toeneemt, en het weglekken van elektronen over de actieve laag heen.
Hoe heet het verschijnsel dat bij InGaN-gebaseerde LED's de…Efficiency droop Acceptor Bandgap (bandkloof) Diffusielengte Donor Effectieve massa Einstein-relatie Elektronenaffiniteit Fermi-niveau Gedegenereerde halfgeleider