Nederlands
Menu

Halfgeleiderfysica

Welke uitspraak is juist wanneer fosfor (P) als dopant aan silicium wordt toegevoegd?

  1. AEr ontstaat een p-type halfgeleider met gaten als meerderheidsladingdragers
  2. BEr ontstaat een n-type halfgeleider met elektronen als meerderheidsladingdragers
  3. CHet aantal ladingdragers neemt niet toe en het blijft een intrinsieke halfgeleider
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Er ontstaat een n-type halfgeleider met elektronen als meerderheidsladingdragers

Fosfor behoort tot groep V en heeft 5 valentie-elektronen, zodat bij de covalente bindingen van silicium (groep IV) één elektron overblijft. Dit elektron is slechts zwak gebonden op een ondiep niveau van ca. 0,045 eV, en komt bij kamertemperatuur vrijwel volledig in de geleidingsband terecht als geleidingselektron. Zo’n onzuiverheid heet donor en er ontstaat een n-type halfgeleider. Ook arseen (As) en antimoon (Sb) zijn donoren. Voor p-type wordt een element uit groep III zoals boor (B) toegevoegd (acceptor).

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Wat gebeurt er met de intrinsieke ladingdragerdichtheid wanneer de temperatuur van een intrinsieke halfgeleider stijgt?
  2. Welke vergelijking tussen de mobiliteit van elektronen en gaten in silicium is juist?
  3. Welke uitspraak over de ligging van het Fermi-niveau in een n-type halfgeleider is juist?
  4. Welke uitspraak over de temperatuurafhankelijkheid van de weerstandsfactor (resistiviteit) van een intrinsieke halfgeleider is juist?
  5. Wat is het product van de elektronendichtheid n en de gatendichtheid p (n×p) van een halfgeleider in thermisch evenwicht? (ni: intrinsieke ladingdragerdichtheid)